深圳市智联微科电子有限公司

主要特点低R DS（ON）

输出自动电流衰减模式检测/选择混合和慢电流衰减模式同步整流，实现低功耗内部UVLO交叉电流保护3.3和5 V兼容逻辑电源热关断电路短距离保护负载保护短路五种可选步进模式：全，1 / 2,1 / 4,1 / 8和1/16

A4988采用表面贴装QFN封装（ET），5 mm×5 mm，标称总封装高度为0.90 mm，外露焊盘可增强散热性能。它不含铅（后缀-T），带有100％雾锡电镀引线框架。

主要特点低R DS（ON）

输出自动电流衰减模式检测/选择混合和慢电流衰减模式同步整流，实现低功耗内部UVLO交叉电流保护3.3和5 V兼容逻辑电源热关断电路短距离保护负载保护短路五种可选步进模式：全，1 / 2,1 / 4,1 / 8和1/16

A4988采用表面贴装QFN封装（ET），5 mm×5 mm，标称总封装高度为0.90 mm，外露焊盘可增强散热性能。它不含铅（后缀-T），带有100％雾锡电镀引线框架。